اثر بازپخت جریانی میدانی بر نامتقارنی امپدانس مغناطیسی بزرگ نوار آلیاژ آمورف co68.15fe4.35si12.5b15
پایان نامه
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه کاشان - دانشکده فیزیک
- نویسنده زهره مهدوی
- استاد راهنما سیداحسان روزمه
- سال انتشار 1394
چکیده
مناسب ترین مواد برای کاربرد در اثر امپدانس مغناطیسی، مواد مغناطیسی نرم همانند آلیاژهای آمورف و مواد مغناطیسی نانو بلور هستند. جهت دست یابی به پاسخ امپدانسی مناسب تر به وسیله آلیاژهای آمورف، روش های گوناگونی وجود دارد که در اینجا روش بازپخت مواد مورد نظر ماست. در این پایان نامه بازپخت میدانی-جریانی روی نمونه انجام گرفته است و اثر آن بر روی امپدانس مغناطیسی و نامتقارنی امپدانس(ami) بررسی شده است. در این رساله بازپخت جریانی-میدانی روی نمونه انجام گرفته است و نامتقارنی امپدانس مغناطیسی بزرگ نمونه های بازپخت شده اندازه گیری شده است
منابع مشابه
اثر بازپخت جریانی بر امپدانس مغناطیسی بزرگ نامتقارن نوار آلیاژ آمورف cofemosib
کشف اثر امپدانس مغناطیسی بزرگ (gmi) در فیلمها و سیمهای مغناطیسی نرم، افق جدیدی را در توسعهی حسگرهای میکرومغناطیسی به فعالیت در آمده در محدودهی نانو تسلا گشود. امپدانس مغناطیسی بزرگ یکی از نویدبخشترین اثرات ترابرد مغناطیسی میباشد که بدلیل کاربردش درحسگرهای میدان مغناطیسی بسیار حساس، مهم است. اثر امپدانس مغناطیسی بزرگ شامل تغییرات بزرگ در هر دو قسمت حقیقی و موهومی امپدانس، تحت اعمال میدان ...
اثر بازپخت کوره ای، جریانی، جریانی- میدانی بر امپدانس مغناطیسی نوارهای آلیاژ آمورف کبالت پایه
نتایج این پایاننامه نشان میدهد که هر چند آلیاژهای آمورف خام (بازپخت نشده) خود کاندید مناسبی برای اثر امپدانس مغناطیسی میباشند با بازپخت میتوانیم خواص مغناطیسی مواد را اصلاح کرده به طوری که نرمی و نفوذپذیری مغناطیسی را افزایش، و تنگش مغناطیسی را کاهش داد و در آنها ساختار نانو و ناهمسانگردی مغناطیسی، القاء و ایجاد کرد. بازپخت در محیط هوا باعث اکسید شدن سطح نمونه و ایجاد نانوبلورکهای سطحی می...
15 صفحه اولاثر بازپخت جریانی بر امپدانس مغناطیسی بزرگ نوارهای آمورف کبالت پایه
بیشینه ی تغییر امپدانس الکتریکی یک ماده ی فرومغناطیسی نرم با تغییر میدان مغناطیسی اعمالی بر آن را امپدانس مغناطیسی بزرگ 1 gmiمی گویند . روی این اثر به لحاظ تئوری و تجربی کارهای زیادی انجام شده است . از جمله موادی که روی آنها اثر gmi انجام شده است ، نوارها و سیم های آلیاژی ، چند لایه ای ها ، فیلم ها ، میکرو سیم ها ، میکرو تیوب ها ، ترکیب هایی به صورت آمورف و نانوبلوری انجام شد که هر کدام از آن...
15 صفحه اولاندازه گیری نامتقارنی امپدانس مغناطیسی بزرگ آلیاژ آمورف کبالت پایه در بایاس dc
حسگرهای مغناطیسی بر مبنای اثر امپدانس مغناطیسی mi (تغییر امپدانس الکتریکی یک رسانای مغناطیسی تحت اعمال میدان مغناطیسی خارجی) امروزه قابلیت خود را در عرصه فناوری نشان داده¬اند. مناسب¬ترین مواد برای کاربرد در اثر امپدانس مغناطیسی، مواد مغناطیسی نرم همانند آلیاژهای آمورف و مواد مغناطیسی نانو بلور هستند. جهت دست¬یابی به پاسخ امپدانسی مناسب¬تر به¬وسیله آلیاژهای آمورف، روش¬های گوناگونی وجود دارد که د...
15 صفحه اولمدلی تئوری در بررسی اثر نامتقارنی امپدانس مغناطیسی بزرگ
اثر امپدانس مغناطیسی (mi) به صورت تغییرات امپدانس الکتریکی رسانای مغناطیسی در حضور میدان مغناطیسی متغیر تعریف می شود. بررسی این اثر از سال 1994 پس از گزارش موهری و همکارانش مبنی بر وجود اثر امپدانس مغناطیسی در سیم کبالت پایه، به طور جدی آغاز شد. امپدانس مغناطیسی برزگ نامتقارن(agmi) در بهبود هرچه بیشتر حسگرهایی که برحسب جملههای خطی بودن و میزان حساسیت به فعالیت در آمده اند بسیار مهم است. در ...
15 صفحه اولمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه کاشان - دانشکده فیزیک
کلمات کلیدی
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023